联系人：章经理
邮箱：
电话：18320997658
地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
IPP041N04NG |
| 系列 |
OptiMOS3 |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
PG-TO220-3 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
Id-连续漏极电流 |
80A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
4.1mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| 最小工作温度 |
-55C |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.8 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SP000680790 IPP41N4NGXK IPP041N04NGXKSA1
单位重量: 2 g
18320997658