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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
型号 |
IRFL9014TR |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
最小包装量 |
卷 |
| 批号 |
22+ |
封装 |
TO-261-4 |
| 数量 |
12372 |
制造商 |
VishaySiliconix |
| FET类型 |
P通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
1.8A（Tc） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4V@250µA |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
2W（Ta），3.1W（Tc） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-261-4，TO-261AA |
漏源电压（Vdss） |
60V |
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 31 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 63 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 9.6 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: IRFL9014TRPBF
单位重量: 250 mg
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