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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
TO-220 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
VishaySiliconix |
FET类型 |
N通道 |
| 漏源电压(Vdss) |
800V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
4.1A(Tc) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) |
4V@250µA |
Vgs(最大值) |
±20V |
| 功率耗散(最大值) |
125W(Tc) |
工作温度 |
-55°C~150°C(TJ) |
| 安装类型 |
通孔 |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- |
型号 |
IRFBE30PBF |


