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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
TO-220AB |
| 批号 |
22+ |
数量 |
18000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
系列 |
IRFBF |
| 工作温度 |
-55C~+150C |
型号 |
IRFBF30PBF |
| Pd-功率耗散 |
125W |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 单位重量 |
2g |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| 栅源极阈值电压 |
4V |
|
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 78 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
系列: IRFBF
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: IRFBF30PBF-BE3
单位重量: 2 g
18320997658