联系人：章经理
邮箱：
电话：18320997658
地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
IRFR9120NTRPBF |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
封装 |
TO-252 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
6.5A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
480mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
18nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
39W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
2.3mm |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 31 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: Preliminary
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRFR9120NTRPBF SP001557182
单位重量: 330 mg
18320997658