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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
封装 |
PQFN-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
PQFN-8 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
21A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
4.6mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Qg-栅极电荷 |
110nC |
Pd-功率耗散 |
3.1W |
| 配置 |
Single |
高度 |
1mm |
| 长度 |
6mm |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 宽度 |
5mm |
商标 |
Infineon/IR |
| 湿度敏感性 |
Yes |
产品类型 |
MOSFET |
| 工厂包装数量 |
4000 |
子类别 |
MOSFETs |
| 零件号别名 |
IRFH9310TRPBFSP001556540 |
单位重量 |
6g |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 6 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 5 mm
零件号别名: IRFH9310TRPBF SP001556540
单位重量: 122.136 mg
18320997658