联系人：章经理
邮箱：
电话：18320997658
地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
TO263/D2PAK |
| 数量 |
1000 |
RoHS |
是 |
| 产品种类 |
电子元器件 |
最小工作温度 |
-20C |
| 最大工作温度 |
80C |
最小电源电压 |
2.5V |
| 最大电源电压 |
8V |
长度 |
8.3mm |
| 宽度 |
7.1mm |
高度 |
2.6mm |
| 型号 |
IRF8010SPBF |
下降时间 |
120ns |
| Pd-功率耗散 |
260W |
批号 |
22+ |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 260 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 120 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Smps MOSFET
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP001575454
单位重量: 330 mg
18320997658