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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
封装 |
TO-220 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2118 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
150V |
| Id-连续漏极电流 |
23A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
90mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-30V,+30V |
Qg-栅极电荷 |
37nC |
| Pd-功率耗散 |
3.8W |
配置 |
Single |
| 高度 |
15.65mm |
长度 |
10mm |
| 晶体管类型 |
4.4mm |
宽度 |
2g |
| 型号 |
IRFB23N15DPBF |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Qg-栅极电荷: 37 nC
Pd-功率耗散: 3.8 W
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
18320997658