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| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
IRFP4368PBF |
| 工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
封装 |
TO247 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
500000 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
HEXFET® |
| FET类型 |
N通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
195A（Tc） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4V@250µA |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
520W（Tc） |
安装类型 |
通孔 |
| 封装/外壳 |
TO-247-3 |
漏源电压（Vdss） |
75V |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 350 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 380 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
400
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
零件号别名: IRFP4368PBF SP001556774
单位重量: 6 g
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