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地址: 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
ROHM |
型号 |
EMZ1FHAT2R |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
reel |
| 批号 |
22+ |
数量 |
1483 |
| 制造商 |
ROHMSemiconductor |
产品种类 |
双极晶体管-双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-563-6 |
晶体管极性 |
NPN,PNP |
| 配置 |
Dual |
集电极—基极电压VCBO |
-60V,60V |
| 发射极-基极电压VEBO |
-6V,7V |
集电极—射极饱和电压 |
-500V,400V |
| Pd-功率耗散 |
150mW |
增益带宽产品fT |
140MHz,180MHz |





制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
晶体管极性: NPN, PNP
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V, 6 V
集电极—射极饱和电压: 400 mV
Pd-功率耗散: 150 mW
增益带宽产品fT: 140 MHz, 180 MHz
最大工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
集电极连续电流: - 150 mA, 150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120
直流电流增益 hFE 最大值: 560
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
8000
子类别: Transistors
技术: Si