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| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
BSD223PH6327XTSA1 |
| 晶体管类型 |
2P-Channel |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
SOT-363-6 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
6357 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PG-SOT-363-6 |
通道数量 |
2Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
390mA |
RdsOn-漏源导通电阻 |
1.2Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
4.5V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
600mV |
| Qg-栅极电荷 |
-500pC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
250mW |
| 配置 |
Dual |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 390 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 500 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
通道模式: Enhancement
系列: BSD223
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 3.2 ns
正向跨导 - 最小值: 350 mS
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
12000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 5.1 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
宽度: 1.25 mm
零件号别名: BSD223P H6327 SP000924074
单位重量: 300 mg
18320997658