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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
VISHAY |
型号 |
IRF830APBF |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
TO-220 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
2000 |
制造商 |
VishaySiliconix |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
500V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
5A（Tc） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4.5V@250µA |
| Vgs（最大值） |
±30V |
功率耗散（最大值） |
74W（Tc） |
| 安装类型 |
通孔 |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
|
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 74 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 15 ns
高度: 15.49 mm
长度: 10.41 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
系列: IRF
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: IRF830APBF-BE3
单位重量: 2 g
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