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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
1843 |
| 湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| 系列 |
TrenchFET® |
FET类型 |
P通道 |
| 漏源电压（Vdss） |
30V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
3.1A（Ta） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
3V@250µA |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
750mW（Ta） |
工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 类型 |
分立半导体产品 |
型号 |
SI2343DS-T1-E3 |
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 53 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 750 mW
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
系列: SI2
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: SI2343DS-T1-BE3 SI2343DS-E3
单位重量: 8 mg
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