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| 品牌 |
ON/安森美 |
封装 |
TO252 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
1020 |
| 湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
30V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
14.5A（Ta），124A（Tc） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
2.5V@250µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
1.43W（Ta），107W（Tc） |
| 工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 |
类型 |
分立半导体产品 |
| 型号 |
NTD4804NT4G |
|
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 117 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns, 5 ns
正向跨导 - 最小值: 23 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns, 19 ns
系列: NTD4804N
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FETs - MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24 ns, 35 ns
典型接通延迟时间: 18 ns, 10 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
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