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地址: 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
ON |
型号 |
NTGS4111PT1G |
| 工作温度 |
-55°C~150°C(TJ) |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
TSOP-6 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
16520 |
制造商 |
ONSemiconductor |
| FET类型 |
P通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
2.6A(Ta) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) |
3V@250µA |
Vgs(最大值) |
±20V |
| 功率耗散(最大值) |
630mW(Ta) |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
SOT-23-6细型,TSOT-23-6 |
漏源电压(Vdss) |
30V |





制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 68 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 15 ns, 9 ns
正向跨导 - 最小值: 6 S
高度: 0.94 mm
长度: 3 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns, 9 ns
系列: NTGS4111P
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 28 ns, 38 ns
典型接通延迟时间: 11 ns, 9 ns
宽度: 1.5 mm
单位重量: 20 mg