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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
封装 |
TO-263 |
| 批次 |
22+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
HEXFET® |
| FET类型 |
N通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
162A(Tc) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) |
4V@250µA |
Vgs(最大值) |
±20V |
| 功率耗散(最大值) |
3.8W(Ta),200W(Tc) |
工作温度 |
-55°C~175°C(TJ) |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263A |
| 漏源电压(Vdss) |
40V |
型号 |
IRF1404SPBF |


