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| 品牌 |
Infineon |
型号 |
IRFR120NTRPBF |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
TO-252-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
4000 |
| RoHS |
是 |
产品种类 |
电子元器件 |
| 最小工作温度 |
-50C |
最大工作温度 |
130C |
| 最小电源电压 |
3V |
最大电源电压 |
6V |
| 长度 |
7.9mm |
宽度 |
5.8mm |
| 高度 |
1.7mm |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 9.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 23 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRFR120NTRPBF SP001566944
单位重量: 330 mg
18320997658