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| 品牌 |
Infineon(英飞凌) |
型号 |
BSS670S2LH6327XTSA1 |
| 系列 |
OptiMOS™ |
最小包装量 |
卷 |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
270000 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
ProductStatus |
在售 |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
55V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
540mA（Ta） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
2V@2.7µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
360mW（Ta） |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 540 mA
Rds On-漏源导通电阻: 346 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 1.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: BSS670S2
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 600 mS
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
12000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSS670S2L H6327 SP000928950
单位重量: 8 mg
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