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| 品牌 |
IR |
型号 |
IRLR120NTR |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
SOT-252 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
8500 |
| RoHS |
是 |
产品种类 |
电子元器件 |
| 最小工作温度 |
-20C |
最大工作温度 |
90C |
| 最小电源电压 |
2V |
最大电源电压 |
7.5V |
| 长度 |
4.3mm |
宽度 |
1.1mm |
| 高度 |
1.4mm |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 22 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRLR120NTRPBF SP001574026
单位重量: 330 mg
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