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| 品牌 |
IR |
型号 |
IRLR3715ZTRPBF |
| 工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
TO-252 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
4000 |
对无铅要求的达标情况 |
无铅 |
| 湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| 系列 |
HEXFET® |
FET类型 |
N通道 |
| 漏源电压（Vdss） |
20V |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
40W（Tc） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 |
类型 |
分立半导体产品 |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 49 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.55 V
Qg-栅极电荷: 7.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.3 ns
正向跨导 - 最小值: 33 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 7.8 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP001569124
单位重量: 330 mg
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