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| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
IPB085N06LG |
| 最小包装量 |
卷 |
数量 |
19533 |
| RoHS |
是 |
产品种类 |
电子元器件 |
| 最小工作温度 |
-50C |
最大工作温度 |
80C |
| 最小电源电压 |
5V |
最大电源电压 |
6V |
| 长度 |
7mm |
宽度 |
8.8mm |
| 高度 |
1.1mm |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
封装 |
TO-263-3 |
| 批号 |
22+ |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB085N06LGXT
单位重量: 4 g
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