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| 品牌 |
DIODES |
型号 |
DMP6350S-7 |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
SOT23-3 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
9000 |
制造商 |
DiodesIncorporated |
| 系列 |
Automotive,AEC-Q101 |
ProductStatus |
在售 |
| FET类型 |
P通道 |
漏源电压（Vdss） |
60V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
1.5A（Ta） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
3V@250µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
720mW（Ta） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
|
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 4.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.17 W
通道模式: Enhancement
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 7.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.8 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 12.3 ns
典型接通延迟时间: 3.6 ns
单位重量: 8 mg
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