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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
ON安森美 |
型号 |
2V7002KT1G |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
SOT23 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
10000 |
制造商 |
onsemi |
| 系列 |
Automotive,AEC-Q101 |
FET类型 |
N通道 |
| 漏源电压（Vdss） |
60V |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
300mW（Tj） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 380 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V
Qg-栅极电荷: 700 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 420 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: 2N7002K
封装: Reel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
正向跨导 - 最小值: 530 mS
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55.8 ns
典型接通延迟时间: 12.2 ns
单位重量: 8 mg
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