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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
ON |
型号 |
FDS6675BZ |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
封装 |
SOIC-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
60000 |
| 制造商 |
onsemi |
系列 |
PowerTrench® |
| FET类型 |
P通道 |
漏源电压（Vdss） |
30V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
11A（Ta） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
3V@250µA |
| Vgs（最大值） |
±25V |
功率耗散（最大值） |
2.5W（Ta） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
| 类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET- |
|
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 62 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDS6675BZ
封装: Reel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 34 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.8 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 130 mg
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