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| 品牌 |
IR |
型号 |
IRFP250MPBF |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
TO-247 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
2000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-247-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
200V |
Id-连续漏极电流 |
30A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
75mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
Qg-栅极电荷 |
82nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
214W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 82 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 33 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 43 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 5.31 mm
零件号别名: IRFP250MPBF SP001566168
单位重量: 6 g
18320997658