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| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
IRLMS1503TRPBF |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
SOT23-6 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
9000 |
制造商 |
InfineonTechnologies |
| 系列 |
HEXFET® |
FET类型 |
N通道 |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
3.2A（Ta） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
1V@250µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
1.7W（Ta） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
SOT-23-6 |
| 漏源电压（Vdss） |
30V |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 6.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
产品类型: MOSFET
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.5 mm
零件号别名: IRLMS1503TRPBF SP001550512
单位重量: 20 mg
18320997658