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| 品牌 |
IXYS |
型号 |
IXFN32N120P |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
封装 |
SOT-227 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
5000 |
| 制造商 |
IXYS |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ChassisMount |
| 封装/箱体 |
SOT-227-4 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
1.2kV |
| Id-连续漏极电流 |
32A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
310mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
6.5V |
| Qg-栅极电荷 |
360nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
1kW |
| 通道模式 |
Enhancement |
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