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| 品牌 |
艾赛斯 |
型号 |
IXFN520N075T2 |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
批号 |
23+ |
| 数量 |
2055 |
制造商 |
IXYS |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ChassisMount |
封装/箱体 |
SOT-227-4 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
75V |
Id-连续漏极电流 |
480A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.9mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.5V |
Qg-栅极电荷 |
545nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
940W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
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18320997658