| 型号 |
STN2610D |
类型 |
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 |
| 沟道类型 |
N型沟道 |
导电方式 |
增强型 |
| 适合频率 |
低频 |
材质 |
N-FET硅N沟道 |
| 加工定制 |
否 |
工作电压 |
60 |
| 工作电流 |
50 |
种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
| 货号 |
今年 |
是否跨境货源 |
否 |
| 数量 |
500000 |
封装 |
TO-252 |
| 批号 |
今年 |
41394445 |
|
| 厂家 |
STANSON/司坦森 |
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STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述STN2610d使用沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和栅极电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v超高密度电池设计极低的RDS（on）特殊的阻力和大直流电流能力TO-252包装设计
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