联系人:邹经理
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| 型号 |
S60VB120DT S60VB100DT S60VB80DT S60VB60DT |
半导体材料 |
硅Si |
| 封装方式 |
环氧树脂封装 |
正向电压降 |
1.1 |
| 击穿电压 |
600~1200 |
最大反向工作电压 |
600~1200 |
| 额定整流电流 |
60 |
最大反向漏电流 |
0.000005 |
| 外形尺寸 |
33.5*33.5*8.5mm |
功耗 |
低 |
| 产地 |
乐山 |
厂家 |
sheier/希尔 |
Sheier/希尔 原厂原装全新整流桥:S60VB120DT、S60VB100DT、S60VB80DT、S60VB60DT;正向平均整流电流IF:60A;正向峰值抗浪涌电流IFSM:550A;反向峰值电压VRRM:1200V~600V;正向压降VF:1.15V;反向漏电流IR:5ua;芯片工作储存结温:-55℃~155℃;封装安装方式:S-VB-DT: 33.5*33.5*8.5mm。


本品采用内置波封GPP工艺大尺寸芯片,具有适应高电压大电流大功率等电气特性特点,插片端子式引脚安装简单方便,铝底塑壳导热效率高自散热好,小方体积大功率整流桥堆S60VB120DT、S60VB100DT、S60VB80DT、S60VB60DT。

本产品可通用于电源、电器、伺服马达电机、车用充电器/充电桩、工业控制、医疗设备、体育健康器具、工业特种电源、高频电源、新能源风电光伏储能、变频器、逆变器、电焊机、电梯控制等电子产品电路中作整流、钳位、防反接、防回流等功能使用。


