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硅碳棒属半导体属性导电，其内阻值随气温的变化而变化。硅碳棒从恒温至850℃前后内阻气温参数为负值（即气温升高，内阻变小），大于850℃为正当（即气温升高，内阻增大）。 因为硅碳棒在恒温下内阻值较大，并且与高温阻值相应的比值扩散度较大，从而在室温下用万用表测得的硅碳棒内阻值是不标准的。按照硅碳棒商品尺度的规定，硅碳棒的内阻值测验及采用配组均应以高温（1050±50℃）阻值为准。在棒发烧部表层气温安定在时，按照欧姆定律测绘计量出的高温阻值标注在棒体的一端。硅碳棒在接连式窑炉与间歇式窑炉中，前者的炉龄较长。硅碳棒在采用中表层化合生成二化合硅薄膜，长时日采用使二化合硅皮膜增长，硅碳棒阻值也随之增长。
二化合硅薄膜在结晶临界点（270℃）旁边发生异常膨胀、缩小。因在间歇式窑炉之间断采用总就此气温上下浮动，从而翻覆破二化合硅薄膜，加速化合。所以停电炉温降至室温时常常急遽增长内阻。
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