APCUPS电源介绍

　　伊顿公司于1993 年进入中国市场并设立合资企业，此后通过并购、合资和独资的形式迅速发展在中国的业务。2004年，公司亚太区总部从香港搬到上海。2009年，公司位于上海市长宁区的新亚太区总部大楼正式落成启动。

　　今天，伊顿公司旗下所有业务都已在中国制造产品，包括：（UPS电源）不间断电源系统、精密空调系统、中压开关面板、开关设备、真空断路器、装配器、电气自动化系统、汽车空调、电源操控、软硬管道装配器、离合器和刹车、引擎阀、液压机、变速器、液压软管装配器和适配器、导向控制阀门、叶轮泵以及电源系统等。

　　在中国的投资保证了伊顿在这一充满活力的市场得以持续发展。得益于并购和自身业务的增长，公司已经实现2010年在中国市场10亿美元的销售目标。

　　支持本地发展

　　伊顿公司是全球领先的多元化动力管理公司，为数以千计的产品和系统提供动力，应对当今世界高速变化的需求。我们帮助客户管理建筑、飞机、卡车、轿车、机器乃至整个业务的动力需求，并降低资源消耗。

　　在中国和全球范围内，伊顿通过提供以下服务支持基础设施建设和经济发展：

　　?为电力系统提供输配电、电源质量和控制产品及服务

　　?为工业设备和工程机械提供液压动力元件、系统和服务

　　?为商用和军用飞机提供燃油、液压和气动系统

　　?为中型和重型卡车提供智能动力传动系统

　　?为汽车和轻型卡车提供零部件、发动机空气管理系统、电力传动解决方案以及控制组件

　　无论顾客在哪里，伊顿都致力于为他们提供推动其成功的关键产品、服务以及解决方案, 从而促进业务增长和顾客满意度。

　　力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出英飞凌（Infineon）新的650V TRENCHSTOP 5 IGBT，对传统技术的一次突破，重新界定IGBT同级佳效能。

　　该款器件采用TRENCHSTOP? 5技术的新一代薄晶圆IGBT（绝缘栅双极晶体管），与当前领先的解决方案相比，该产品大大降低了导通和开关损耗，提高系统效率及功率密度并降低系统成本。凭借这一重大突破，英飞凌在IGBT性能方面设定了新基准，并继续在要求持续提升效率的市场占据领先位置。

　　由于击穿电压增加到650V，该全新技术为设计带来了更高的安全裕度。目标应用为不间断电源（UPS）、光伏逆变器、和逆变焊机等应用中常见的升压PFC（AC/DC）级和高压DC/DC拓扑。

　　TRENCHSTOP? 5为两个产品系列奠定了基础。HighSpeed 5（H5）是易用型软开关高速IGBT，用于即插即用取代现有的IGBT，因为其可轻松融入产品设计之中。H ighSpeed 5 FAST（F5）是迄今为止高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓扑的UPS逆变器的系统效率达到了98%以上。

　　TRENCHSTOP? 5在IGBT性能方面带来了飞跃，以更高的系统效率和更高的击穿电压，提升了可靠性。这会导致整个平台的系统成本降低。对于那些要求在一个解决方案中具备所有这些特性的客户而言，TRENCHSTOP? 5是佳选择。全新的TRENCHSTOP? 5技术为UPS应用带来了巨大益处。与当今好的来自英飞凌的HighSpeed（span）相比，传导损耗降低了超过10%，总开关损耗降低了超过60%。效率的大幅度提升使得可实现更低的工作结温，确保更高的寿命周期可靠性，或实现更高功率密度的设计。譬如，应用测试已经证明采用TO-220封装的TRENCHSTOP? 5比采用TO-247封装的span的外壳温度低15%。

　　图示1-大联大品佳推出的英飞凌TRENCHSTOP? 5效率测量：3 KVA H4逆变器, 20 kHz开关频率

　　其他重大改进包括饱和电压（Vce(sat)）正温度系数和关断开关损耗（Eoff），确保性能在高温操作期间不降低，并可直接进行并联。与span相比降低60%的栅电荷（Qg）使得IGBT能以更低成本进行更轻松驱动。此外，TRENCHSTOP? 5具有快速恢复续流二极管的温度稳定正向压降（VF），且反向恢复时间（Trr）不到50ns。低输出电容（Coss和Eoss）带来了杰出的轻载效率，是工作范围主要在大额定值40%以下的设计的理想之选。

　　图示2-大联大品佳推出的英飞凌TRENCHSTOP? 5 V.S High Speed 3

　　F5+SiC Diode系统高效率突破98%，而使用H5+FRD 效率相比于span，全功率段效率提升0.2%以上；或者在维持原先的效率的基础上提高开关频率，减小电感等磁性组件尺寸，从而降低系统成本。

　　英飞凌高能效IGBT、二极管产品在UPS应用推荐

　　1. PFC 二极管— 650V 超快恢复二极管

　　英飞凌的全新快速1和快速2功率硅二极管作为现有高功率600V/650V二极管的补充，填补了碳化硅二极管与发射极控制二极管之间的空白。全新极速和超高速二极管系列提供的效率和可靠性以及超高的性价比。额外的50V确保更高的可靠性。

　　Rapid1 VF 1.35V，适合频率范围18KHz~40KHz，Rapid2 VF 1.6V，适合频率范围：40KHz~100KHz。

　　汤浅蓄电池销售中心：

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