维安/WAYON WM02P160R DFN2*2-6L P沟槽通道功率MOS

　　维安中低压12V-100V P沟槽通道功率MOS

　　维安提供各类功率半导体产品，包括500V/ 600V/ 650V/ 700V/ 800V/900V/ 950V/ 1050V/ 1200V高压超级结MOSFET（SJ-MOS）系列产品、 600V/ 650V/ 700V高压VDMOS（HV-VDMOS）系列产品、低压功率MOSFET （LV-MOS）系列产品、肖特基二极管（Schottky Diode）等。维安功率半导体

　　采用先进的超结工艺技术和优化的设计结构，相比传统的高压VDMOS，维安系列产品具有极低的特征导通电阻及栅极电荷，可以显著改善电源系统

　　效率，降低温度。相比传统VDMOS，500V-1200V WMOSTM系列产品具有更好的性价比，并且重点改善了传统SJ-MOS存在的浪涌及EMI性能不佳的问题。应对电源系统小型化及超薄化趋势，开发了SOT-223-2L，TO-220 ISO，TO-220F SL，TO-262N，PDFN 8x8，PDFN5x6等先进的封装技术。

　　WM01P75R DFN2*2-6L VDS耐压：-12 ID 电流：-7.5Vgs

　　WM02P160R DFN2*2-6L VDS耐压：-20 ID 电流：-16

　　WMQ55P02T1 PDFN3*3-8L VDS耐-20ID 电流：-55

　　WMS15P02T1 SOP-8L VDS耐压：-20 ID 电流：-15

　　WMQ55P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-55 Vgs内阻：8.5

　　WMB60P03T1 PDFN5*6-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-60 Vgs内阻：8.8

　　WMS16P03T1 SOP-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-16 Vgs内阻：8.8

　　WMQ50P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-50 Vgs内阻：9

　　WMS14P03T1 SOP-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-14 Vgs内阻：9.2

　　WMQ42P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-42 Vgs内阻：14

　　WMS09DP03T1 SOP-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-9 Vgs内阻：14

　　WMO50P03T1 TO-252 VDS耐压：-30 ID 电流：-50 Vgs内阻：14

　　WMS12P03T1 SOP-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-11.5 Vgs内阻：15

　　WM03P115R DFN2*2-6L VDS耐压：-30 ID 电流：-11.5 Vgs内阻：24

　　WMQ30P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-30 ID 电流：-30 Vgs内阻：24

　　WMQ30P04T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-40 ID 电流：-30 Vgs内阻：13

　　WMS13P04T1 SOP-8L VDS耐压：-40 ID 电流：-13 Vgs内阻：13

　　WMO50P04T1 TO-252 VDS耐压：-40 ID 电流：-50 Vgs内阻：13

　　WMQ25P06T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-60 ID 电流：25 Vgs内阻：28

　　WMO35P06T1 TO-252 VDS耐压：-60 ID 电流：-35 Vgs内阻：28

　　WMO25P06T1 TO-252 VDS耐压：-60 ID 电流：-25 Vgs内阻：40

　　WMO13P06T1 TO-252 VDS耐压：-60 ID 电流：-13 Vgs内阻：90

　　WMS05P06T1 SOP-8L VDS耐压：-60 ID 电流：-4.5 Vgs内阻：90

　　WMQ12P10T1 PDFN3*3-8L VDS耐压：-100 ID 电流：12 Vgs内阻：100

　　WMO18P10T1 TO-252 VDS耐压：-100 ID 电流：-18 Vgs内阻：110