联系人：欧阳永亮
邮箱：2351853173@qq.com
电话：15013681759
地址： 广东深圳市福田区深圳市福田区华强北街道华康大厦2栋219室
| 型号 |
FF450R12ME4 |
导电类型 |
单极型 |
| 封装外形 |
单列直插式 |
集成度 |
中规模(50~100) |
| 工作电源电压 |
2.1V-20V |
工作温度 |
-40°C ~ 150°C |
| 批号 |
20+ |
数量 |
100 |
| 封装 |
IGBT |
415025039 18664962775 |
|
| 厂家 |
INFINEON/英飞凌 |
|
FF450R12ME4 规格参数
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 675 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
15013681759