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| 品牌 |
ON/安森美 |
型号 |
NVMFS6H852NLT1G |
| 封装形式 |
SMD |
数量 |
1600 |
| 制造商: | onsemi | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | DFN-5 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 80 V | |
| Id-连续漏极电流: | 42 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 13.1 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | |
| Qg-栅极电荷: | 17 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 54 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 资格: | AEC-Q101 | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | onsemi | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 6 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 55 S | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 53 ns | |
| 工厂包装数量: | 1500 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 18 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 29 ns | |
| 单位重量: | 175 mg |
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