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ALD(原子层沉积)是一种将氮化膜或氧化膜以单原子膜的形式一层一层的镀在基底表面的方法。
通过这种方法可以对10nm厚度薄膜进行安定的生产。
作为其材料，使用与氧化剂有着高反应，例如金属醇这种通过自身的热分解，不易产生氧化膜的物质是适合的。
氮化膜适用于栅极绝缘膜及阻挡膜的成膜，一般使用金属酰胺，酰亚胺，金属氯化物。
金属酰胺的化学式为M-NR1R2，金属酰亚胺为M=NR，金属氯化物则是化学式为MCIx的化合物。
一般常用的有TEMAZ,TDMAH,TBTEMT,ZrCl4,WCl6,AlCl3。
主要用在ALD上的酰胺类化合物的性质
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| 3DMAS | SiH[N(CH3)2]3 |
| TDMAH | Hf[N(CH3)2]4 |
| TEMAZ | Zr[N(C2H5)CH3]4 |
| Taimata® | Ta(N-t-C5H11)[N(CH3)2]3 |
| TBTEMT | Ta(N-t-C4H9)[N(C2H5)CH3]3 |
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