日本进口高纯度铝靶 6N铝靶 铝粒 99.99999%以上

　　溅射靶材我们通过将熔化技术，烧结技术，合成技术以及加工技术进行技术融合，可以对各种素材，纯度以及形状的产品进行处理。金属靶材高纯度金属Al, Co, Cu, Fe, Mg, Mn, Sn高熔点金属合金Cr,Mo,Nb,Ta,Ti,V,W 系列的合金非磁性合金Al, Bi, Cu, Mg, Sn, Zn 系列的合金/ Bi2Te3, Mg2Si磁性合金Co, Fe, Ni 系列的合金/ Co-Fe-B, Co-Pt, Fe-Pt赫斯勒合金Co, Fe, Ni 基赫斯勒合金Mn 系列的合金Mn-Al, Mn-Bi, Mn-Ga, Mn-Ir, Mn-Si贵金属合金Au,Ag,Pt,Pd 系列的合金无机化合物靶材氧化物Al2O3,MgO,SiO2,TiO2,ZnO,La2O3，ITO,PZT,STO,LiCoO2,Li4Ti5O12,Li3PO4碳化物SiC,B4C,WC其他化合物氮化物，氟化物，磷化物，硫化物，硒化物复合靶材金属相Co-Cr-Pt, Fe, Fe-Ni, Fe-Pt 等各种纯金属?合金非金属相Al2O3, MgO, SiO2等各种氧化物?氮化物标准尺寸一览圆球形直径φ50.8、φ76.2、φ101.6、φ127、φ152.4、φ203.2、 φ254、φ304.8、φ355.6、φ406.4、φ508、φ533.4矩形平面尺寸127×304.8、127×381、127×508、127×558.8、152.4×508厚度ｔ3、ｔ5、ｔ6.35高纯度材料我们秉持着「高纯度材料是技术革新的源泉」的信念，对各种高纯度材料进行开发及生产。Al～6NMn～4NCo～4N5Sn～5NCu～6NTi～5NIn～5NZn～5NMg～4N5其他各种合金（Co-Fe-B 等）介电?压电材料? MEMS 材料例栅极绝缘膜La2O3、HfO2、Y2O3、HfO2-Al2O3压电材料PZT、PNZT、PLZT、PLT、PMN-PT、PNN-PZT、NaNbO3、KNbO3、KNN、BNT、BFO高介电材料(BaSr)TiO3、SrTiO3电极Pt、Ir、Ru、RuO2、SrRuO3、LaNiO3、(LaSr)CoO3、Ti、TiN、TiOx、Ta电池，能量关联材料磁性器件材料熔融制低氧化 Ir-Mn 靶材Ir-Mn 的特点在于它的非挥发性以及可进行无限的重写, 是一种被用作为反铁磁层的非易失性磁性存储器(MRAM)。我们确立了熔融制靶材的生产方法并对其实现了低氧化。与一般所使用的烧结制靶材相比，可防止氧气对其它构造层产生的影响。背板的生产基于我们多年来在溅射靶及其键合方面所取得的技术，我们能够制造出满足任何要求的背板。我们的背板(接合靶材所使用的背板)可根据客户的用途，对以无氧铜为首的各种铜合金，铁，不锈钢，铝，铝合金，钼以及钛进行严格的筛选。此外，我们还将万全地处理上述材料的组合，并考虑到客户使用上的便利性，提出建议进行改善。可生产的尺寸我们可生产的背板范围从用于研究的直径约为 1mm 的小型背板到用于第七代 LCD的超过 2 米的大型背板。它们可以做成圆形、矩形或可变形状。我们接受从 1枚开始的生产订单。对于内水冷式背板，根据生产工序的不同，我们采用了各种焊接方法，如钎焊、电子束焊接和扩散焊接等。关于材料、形状、改进等，请与我们的销售部门进行联系。此外，如果是初次生产，请向我们提供图纸或实物本身。我们将测量并绘制图纸。蒸镀材料我们通过熔化和烧结技术，供应各种高纯度的蒸镀材料，以及舟皿、灯丝和炉缸内衬等各种蒸镀所使用的部件。蒸镀材料形状标准尺寸啶片材直径φ5、φ10、φ15、φ20厚度ｔ5、ｔ10片状材5×5×ｔ1、10×10×ｔ1我们可以对材料的形状进行加工，可以选择适合您使用的炉缸内衬的形状。对于合金和氧化物，我们可以对成分进行控制。即使少量的订单也可以进行对应，请先联系我们进行咨询。