碳化硅外延片生产厂家 SiC衬底供应商

　　碳化硅外延片生产厂家 SiC衬底供应商

　　苏州恒迈瑞材料科技供应的碳化硅外延片以350um厚度4H-N型为衬底层，衬底层晶向为4±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片产品尺寸有4英寸和6英寸导电类型分为N型及P型，N型碳化硅外延片掺杂氮，P型碳化硅外延片掺杂铝。

　　与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。主要的外延技术是化学气相沉积（CVD），通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压等级的不断提高，碳化硅外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。