SCR可控硅静态参数测试系统

SCR可控硅静态参数测试系统

价格 100,000.00
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 西安智盈
型号 IGBT
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西安智盈电气科技有限公司
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主营:
IGBT测试设备

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产品详情
品牌

西安智盈

型号

IGBT

类型

半导体测试设备

材质

不锈钢

规格

立式

功能

参数测试

适用范围

电力电子,半导体测试

加工定制

是否进口

产地

陕西

  一、产品简介

  该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。

  该套测试设备主要有以下几个单元组成:

  1) 门极触发参数测试单元

  2) 维持电流测试单元

  3) 阻断参数测试单元

  4) 通态压降参数测试单元

  5) 电压上升率参数测试单元

  6) 擎住电流

  7) 门极电阻

  8) 计算机控制系统

  9) 合格证标签打印

  10) 夹具单元;包含平板夹具和模块夹具

  二、技术条件

  主要技术指标:

  2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

  1. 阳极电压:12V;

  2. 阳极串联电阻:6Ω;

  3. 门极触发电压:0.3~5.00V±3%±10mV;

  4. 门极触发电流:2~450mA±3%±1 mA;

  2.2 维持电流测试单元IH

  1. 阳极电压:12V;

  2. 预导通电流: >10A,正弦衰减波;

  3. 维持电流: 2~450mA ±5%±1 mA;

  4. 测试频率:单次;

  2.3 通态压降测试单元VTM

  1. 平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

  2. 模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

  3. 电流上升沿时间:≥5ms;

  4. 通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;

  5. 测试频率:单次;

  2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

  1. 阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;

  模块单元阻断电压:0.20~4.00kV

  2. 正反向自动测试

  3.正/反向漏电流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;

  精度:±5%±1 mA;

  4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。

  5. 测试频率: 50HZ

  2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt

  1. 电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度±5%;

  2. 电压过冲范围:<50V±10%

  3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;

  2.6 擎住电流IL:100-1800mA

  2.7 平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式

  (宁夏半导体器件研发)

售后服务

商家电话:
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