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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
型号 |
IRFP260NPBF |
| 类型 |
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 |
沟道类型 |
N型沟道 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
适合频率 |
中频 |
| 外形尺寸 |
15.9×5.3×20.3 |
加工定制 |
否 |
| 货号 |
21 |
是否跨境货源 |
否 |
| 数量 |
800 |
封装 |
TO-247-3 |
| 批号 |
21 |
|
大小：200.7KB
厂家：IRF [International Rectifier]
描述：HEXFET Power MOSFET
标准包装：25
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 28A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：234nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：4057pF @ 25V
功率 - ：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商设备封装：TO-247AC
包装：散装
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供系统效率。
### MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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