| 型号 |
GD32W515 |
封装形式 |
SMD |
| 导电类型 |
双极型 |
封装外形 |
扁平型 |
| 集成度 |
大规模(100~10000) |
外形尺寸 |
4 |
| 加工定制 |
是 |
工作电源电压 |
2-5.5 |
| 最大功率 |
100000 |
工作温度 |
-45-85 |
| 产地 |
中国 |
系列 |
GD32W515 |
| 特色服务 |
烧录+编带 |
产品说明 |
原装正品 |
| 货号 |
2023 |
是否跨境货源 |
是 |
| 包装 |
盘装 |
应用领域 |
医疗电子 |
| 数量 |
100000 |
封装 |
LQFP/QFN |
| 批号 |
2023 |
3503217698 |
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| 厂家 |
GD |
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的射频性能和丰富的集成资源
GD32W515系列MCU持续采用的Arm® Cortex®-M33内核,片上集成了2.4GHz单流IEEE802.11b/g/n MAC/Baseband/RF射频模块。Cortex®-M33内核基于Armv8-M指令集架构,支持DSP指令扩展和单精度浮点运算(FPU),还集成了TrustZone硬件安全机制,支持独立的存储访问空间,提供了系统开发所必需的安全性和灵活性。
全新Wi-Fi MCU的发射功率为21dBm,信号接收灵敏度可达-97.6dBm,总链路预算达到118.6dBm,提供了优异的基带和射频性能。还具备的抗干扰能力,邻道抑制(ACR)值高达48dB,可以有效防止强信号干扰,提升信号接收的稳定性。该系列MCU支持高传输速率,Iperf吞吐量可达50Mbps,屏蔽室内测试可达80Mbps。射频(RF)模块实现了内部全集成,外围电路设计简单并有效减少周边元件用量,节省开发成本。
GD32W515系列MCU的主频为180MHz,配备了高达2048KB的片上Flash和448KB的SRAM,还可支持32MB的外置Flash。供电电压为1.6-3.6V,I/O口可承受5V电平,工业级温度范围–40至+85°C。
芯片内置了丰富的外设资源,包含1个12位ADC、4个通用16位定时器、2个通用32位定时器、1个基本定时器、1个PWM高级定时器,以及一系列通信接口:多达2个SPI、1个SQPI、1个SDIO、2个I2C、3个USART、1个I2S、USB2.0 FS和Wi-Fi无线接口。其它外设则包括TrustZone控制单元(TZPCU)、数码相机接口(DCI)、触摸感应接口(TSI)、四线制SPI Flash接口(QSPI),还新增了高性能数字滤波器(HPDF),可用于外部Σ-Δ调制,实现高精度音频信号处理。