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| 品牌 |
VISHAY |
封装 |
原厂封装 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerPAK-SO-8 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
150V |
| Id-连续漏极电流 |
37A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
39.5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
| Qg-栅极电荷 |
25nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
104W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 系列 |
SIR |
下降时间 |
9ns |
| 上升时间 |
7ns |
典型关闭延迟时间 |
28ns |
| 典型接通延迟时间 |
15ns |
型号 |
SIR873DP-T1-GE3 |
