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电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
原装 |
功率 |
15 |
| 特色服务 |
14 |
封装 |
SOP |
| 系列 |
1 |
产品说明 |
1 |
| 包装 |
卷带 |
数量 |
6540 |
| 类型 |
其他IC |
型号 |
FDS8447 |
| 货号 |
FDS8447 |
|
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12.8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10.5 mOhm @ 12.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250μA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 49nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@?Vds的 | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 12.8 A |
| RDS -于 | 10.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 典型下降时间 | 7 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 10.5@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 12.8 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12.8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250μA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10.5 mOhm @ 12.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2600pF @ 20V |
| 其他名称 | FDS8447TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 49nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.0105 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 典型栅极电荷@ VGS | 7 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2000 pF V @ 20 |
| 宽度 | 4mm |
| 漏极电流（最大值） | 12.8 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | ?20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.0105 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 12.8 A |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :12.8A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :10.5mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.8V |
| 功耗 | :2.5mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Current Id Max | :12.8A |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :50A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :40V |
| Voltage Vgs Max | :1.8V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
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18926578433