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| 品牌 |
Infineon |
封装 |
TO-247-4 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-247-4 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
1200V |
| Id-连续漏极电流 |
19A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
182mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-7V,23V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
5.7V |
| Qg-栅极电荷 |
13nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
94W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 系列 |
IMZ120R140 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
3S |
下降时间 |
11.6ns |
| 上升时间 |
2ns |
典型关闭延迟时间 |
10.3ns |
| 典型接通延迟时间 |
5ns |
零件号别名 |
IMZ120R140M1HSP001946186 |
| 品牌： | Infineon |
| 型号： | IMZ120R140M1HXKSA1 |
| 封装： | TO-247-4 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-4 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1200 V |
| Id-连续漏极电流： | 19 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 182 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 7 V, 23 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5.7 V |
| Qg-栅极电荷： | 13 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 94 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | IMZ120R140 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 3 S |
| 下降时间： | 11.6 ns |
| 上升时间： | 2 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 10.3 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 零件号别名： | IMZ120R140M1H SP001946186 |
| 单位重量： | 6.161 g |
18926578433