联系人：卢寿光
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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
AOS |
封装 |
DFN-6 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-阵列 |
| FET类型 |
2个P沟道（双） |
FET功能 |
逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） |
20V |
功率-最大值 |
1.5W |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
6-WDFN裸露焊盘 |
类型 |
分立半导体产品 |
| 型号 |
AON2801 |
|
| 品牌： | AOS |
| 型号： | AON2801 |
| 封装： | DFN-6 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| FET 类型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 3A |
| 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）： | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： | 700pF @ 10V |
| 功率 - 最大值： | 1.5W |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
18926578433