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| 品牌 |
瑞萨 |
封装 |
QFN8 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
6000 |
| 制造商 |
RenesasElectronicsAmericaInc |
驱动配置 |
半桥 |
| 通道类型 |
同步 |
驱动器数 |
2 |
| 栅极类型 |
N沟道MOSFET |
电压-供电 |
4.5V~5.5V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH |
0.5V，2V |
输入类型 |
非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） |
8ns，8ns |
工作温度 |
-40°C~125°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
8-VFDFN裸露焊盘 |
| 类型 |
集成电路（IC）PMIC-栅极驱动器 |
型号 |
ISL6208BIRZ-T |
| 品牌： | RENESAS/瑞萨 |
| 型号： | ISL6208BIRZ-T |
| 封装： | QFN8 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 6000 |
| 类别： | 集成电路（IC） PMIC - 栅极驱动器 |
| 制造商： | Renesas Electronics America Inc |
| 驱动配置： | 半桥 |
| 通道类型： | 同步 |
| 驱动器数： | 2 |
| 栅极类型： | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电： | 4.5V ~ 5.5V |
| 逻辑电压?- VIL，VIH： | 0.5V，2V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： | 2A，2A |
| 输入类型： | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举）： | 33 V |
| 上升/下降时间（典型值）： | 8ns，8ns |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
18926578433