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| 品牌 |
TI |
封装 |
PICOSTAR-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PICOSTAR-3 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
3.6A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
260mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.05V |
| Qg-栅极电荷 |
1.02nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
500mW |
| 通道模式 |
Enhancement |
系列 |
CSD25501F3 |
| 配置 |
Single |
下降时间 |
945ns |
| 正向跨导-最小值 |
3.4S |
上升时间 |
428ns |
| 晶体管类型 |
1154ns |
典型关闭延迟时间 |
474ns |
| 典型接通延迟时间 |
0.300mg |
型号 |
CSD25501F3 |
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