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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
20+ |
数量 |
120000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-236-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
Id-连续漏极电流 |
3.77A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
33mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
12V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
0.95V |
Qg-栅极电荷 |
11nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
0.75W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
商标名 |
TrenchFET |
| 系列 |
SI2 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 商标 |
Vishay/Siliconix |
正向跨导-最小值 |
40S |
| 下降时间 |
5.9us |
产品类型 |
MOSFET |
18926578433