联系人:卢寿光
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| 导电方式 |
增强型 |
沟道类型 |
N沟道 |
| 种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
数量 |
4990 |
| 型号 |
2SK2611 |
|
温馨提示:
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| 包装 | 3TO-3PN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 900 V |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| RDS -于 | 1400@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型上升时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 20 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3PN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 1400@10V |
| 最大漏源电压 | 900 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-3PN |
| 最大功率耗散 | 150000 |
| 最大连续漏极电流 | 9 |
| 引脚数 | 3 |