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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
安森美 |
封装 |
SOD-123FL |
| 批号 |
24+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
DFN-8 |
通道数量 |
2Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
52A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.2mOhms,6.2mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
16nC,16nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
40W |
| 配置 |
Dual |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
系列 |
NVMFD5C466NL |
| 晶体管类型 |
2N-Channel |
正向跨导-最小值 |
33S,33S |
| 下降时间 |
60ns,60ns |
上升时间 |
67ns,67ns |
| 典型关闭延迟时间 |
26ns,26ns |
典型接通延迟时间 |
10ns,10ns |
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NVMFD5C466NLWFT1G |
| 封装： | SOD-123FL |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DFN-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 52 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.2 mOhms, 6.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 16 nC, 16 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 40 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NVMFD5C466NL |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 33 S, 33 S |
| 下降时间： | 60 ns, 60 ns |
| 上升时间： | 67 ns, 67 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 26 ns, 26 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns, 10 ns |
18926578433